文献类型：期刊文章

作　　者：施朝霞[1] 朱大中[2]

机构地区：[1]浙江工业大学信息学院,光纤通信与信息工程研究所,杭州310023 [2]浙江大学信息学院微电子与光电子研究所,杭州310013

出　　处：《传感技术学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(61306090);浙江省级公益性技术应用研究计划项目(2013C31069)

年　　份：2014

卷　　号：27

期　　号：2

起止页码：153-157

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于标准CMOS工艺设计了P+/Nwell/Psub双结深光电二极管,建立了双结深光电二极管的光电响应模型,并用MATLAB仿真比较了单、双结光电二极管的光电响应灵敏度。针对双结深光电二极管分别设计了3T和CTIA有源像素电路,单个像素尺寸为100μm×100μm,采用0.5μm CMOS工艺实现。实验测试了在不同光强下有源像素电路的光电转换特性。双结深光电二极管的峰值灵敏度为0.59 A/W@440 nm,双结深的3T像素光电转换灵敏度为42 V/(lux·s),双结深的CTIA像素光电转换灵敏度为2243 V/(lux·s)。结果表明,采用双结深的CTIA光电传感电路对微弱的光具有更高的光电转换灵敏度,可以应用在环境、生物、医学荧光检测中。

关 键 词：荧光传感器 双结深光电二极管  

分 类 号：TN491] TP211]