文献类型：期刊文章

作　　者：张云婕[1] 陈长乐[1] 郭兵[1] 王晶[1]

机构地区：[1]西北工业大学理学院凝聚态结构与性质陕西省重点实验室,陕西西安710129

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(No.61078057;No.51172183;No.51202195);陕西省自然科学基金资助项目(No.2012JQ8013)

年　　份：2014

卷　　号：33

期　　号：4

起止页码：13-16

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用脉冲激光分子束外延技术(MBE)在LaAlO3(100)基片上依次沉积了La2/3Sr1/3MnO3(LSMO)、BaTiO3(BTO)和Bi4Ti3O12(BIT)薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、压电力显微镜(PFM)和铁电仪研究了复合薄膜的晶体结构、表面形貌、畴结构、单点压电响应信号以及电滞回线。结果表明所制BIT/BTO铁电复合薄膜沿c轴择优取向生长,其PFM相位曲线的畴翻转特征加之明显的振幅-电压蝴蝶曲线证实了该复合薄膜具有良好的铁电性;在外加8 V电压下BIT/BTO复合薄膜的剩余极化强度(2Pr)为(2.6±0.1)×10–6 C/cm2,而单层BIT和BTO铁电薄膜的2Pr仅为(1.1±0.1)×10–6 C/cm2和(0.3±0.1)×10–6 C/cm2,该现象与复合薄膜的界面效应以及晶体结构畸变有关。

关 键 词：BIT BTO铁电复合薄膜  分子束外延 剩余极化强度  矫顽场 振幅  电压蝴蝶曲线  畴翻转特征  

分 类 号：O484]