文献类型：期刊文章

作　　者：王永华[1] 韦丽萍[1] 臧俊斌[2] 崔丹凤[1] 李艳娜[1] 刘耀英[1] 薛晨阳[1,3]

机构地区：[1]中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051 [2]中北大学朔州校区,山西朔州036000 [3]中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原030051

出　　处：《光子学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.61076111);山西省科技厅(No.2011011013-2)资助

年　　份：2014

卷　　号：43

期　　号：2

起止页码：28-32

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141217496710)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为在硅基光波导上实现类电磁诱导透明效应,设计并加工了基于绝缘体上硅的串联双环结构.通过300℃到1 200℃热氧化退火、缓冲刻蚀液湿法腐蚀以及1 000℃高温氮气退火等波导结构的后期处理,利用垂直光栅耦合的方式输入及输出信号,观测到了类电磁诱导透明效应.分析了两环间不同间距对类电磁诱导透明效应的影响,结果表明:工艺中单环Q值达到5.1×104,类电磁诱导透明效应透明峰的带宽约为500MHz.

关 键 词：集成光学 硅基光波导  热氧化退火  垂直光栅耦合  类电磁诱导透明  微环谐振腔 绝缘体上硅

分 类 号：TN252]