文献类型：期刊文章

作　　者：郑树文[1] 范广涵[1] 何苗[1] 赵灵智[1]

机构地区：[1]华南师范大学光电子材料与技术研究所微纳光子功能材料与器件重点实验室,广州510631

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61176043;11204090;61078046);广东省战略性新兴产业专项资金(批准号:2012A080304016);华南师范大学青年教师培育基金(批准号:2012KJ018)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：5

起止页码：332-338

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141217481639)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论的平面波超软赝势计算方法,对不同W掺杂浓度下β-Ga2O3的导电性能进行研究.计算了β-Ga2(1-x)W2x O3(x=0,0.0625,0.125)的优化参数、总态密度和能带结构.结果表明,W掺入β-Ga2O3使Ga2(1-x)W2x O3材料的体积增大,总能量升高,稳定性降低.当W的掺杂量较小时,其电子迁移率较大,导电性能也很强.当增加W的掺杂量,Ga2(1-x)W2x O3材料的平均电子有效质量就略有增大,能隙变得越窄,这与实验的变化趋势相一致.

关 键 词：β-Ga2O3  电导率 W掺杂  密度泛函理论

分 类 号：TN304.2]