文献类型：期刊文章

作　　者：闫万珺[1,2] 张春红[1] 周士芸[1] 谢泉[2] 韦会敏[1]

机构地区：[1]安顺学院物理与电子科学系,安顺561000 [2]贵州大学理学院,贵阳550025

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(61264004);贵州省科技厅自然科学基金(黔科合J字[2010]2001);贵州省教育厅科研项目(黔教科KY字[2012]056;黔高教发[2011]278);贵州省教育厅功能材料与资源化学特色重点实验室;贵州省教育厅航空电子电气与信息网络工程中心(黔教科KY字[2012]025)

年　　份：2014

卷　　号：31

期　　号：1

起止页码：167-172

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、RSC、核心刊

摘　　要：采用第一性原理方法对Ti掺杂CrSi2的几何结构、电子结构、复介电函数、吸收系数、反射谱、折射率和光电导率进行了计算,对Ti置换Cr原子后的光电特性变化进行了分析.结果表明:Ti置换Cr原子后,晶格常数a,b和c均增大,体积变大;Ti的掺入引入了新的杂质能级,导致费米能级插入价带中,Cr11TiSi24变为p型半导体,带隙宽度由未掺杂时的0.38eV变为0.082eV,价带顶和导带底的态密度主要由Cr-d和Ti-d层电子贡献;与未掺杂CrSi2相比,Cr11TiSi24的介电峰发生了红移,仅在1.33eV处有一个峰,而原位于4.53eV处的峰消失;吸收系数,反射率和光电导率明显降低.

关 键 词：Ti掺杂CrSi2  第一性原理 电子结构 光学性质

分 类 号：O474] O481.1[物理学类]