文献类型：期刊文章

作　　者：曹欣伟[1] 任杨[1] 刘慧[1] 李姝丽[1]

机构地区：[1]西安文理学院物理与机械电子工程学院,西安710065

出　　处：《物理学报》

基　　金：西安市科技计划(批准号:CX12189WL05);西安文理学院大学生创新项目(批准号:201307)资助的课题~~

年　　份：2014

卷　　号：63

期　　号：4

起止页码：87-92

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141217481549)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000332771000012)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用密度泛函理论的B3LYP方法在6-311++g(d.p)水平上优化得到了BN分子轴向加不同外电场时的基态结构参数,包括键长、电偶极矩、电荷分布、前线轨道、红外光谱.计算结果表明,随着正向电场增加,分子结构参数与外电场强度有明显关联,并呈现不对称性.另外,在同样的基组下利用合时密度泛函理论方法研究了外电场对BN分子激发能和振子强度的影响.结果表明,电子跃迁光谱随正向电压的增加而呈现蓝移现象,但振子的强度与电场关联较为复杂,说明光谱强度易受外电场影响.

关 键 词：密度泛函理论 外电场 结构参数 激发态

分 类 号：O561]