文献类型：期刊文章

作　　者：林茂六[1]

机构地区：[1]哈尔滨工业大学电子与信息工程学院信息工程系,哈尔滨150001

出　　处：《电子测量与仪器学报》

基　　金：国家自然科学基金(61171062);教育部博士点基金(20112302110033)资助项目

年　　份：2014

卷　　号：28

期　　号：2

起止页码：113-122

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD2013_2014、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：将综述具有记忆效应的射频微波功放器件非线性表征、测量和行为建模的最新进展。首先通过比较连续波和脉冲射频大信号测量实例,揭示自热与电器记忆效应对射频微波功放器件性能的影响。然后介绍如何将X参数行为模型扩展到考虑了射频微波器件强非线性及长期记忆效应的动态X参数行为模型理论、实验方案和模型记忆核辨识实例。最后展望了非线性长期记忆效应测量与行为建模技术的未来发展研究方向。

关 键 词：长期记忆效应  动态X参数  大信号射频测量  行为建模  记忆核  

分 类 号：TN98]