文献类型：期刊文章

作　　者：黄建华[1] 吴光[1] 曾和平[1]

机构地区：[1]华东师范大学精密光谱科学与技术国家重点实验室,上海200062

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(61127014;11374105)

年　　份：2014

卷　　号：34

期　　号：2

起止页码：21-25

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种高速门控盖格模式的铟镓砷/铟磷雪崩光电二极管(InGaAs/InP APD)单光子探测技术。将1.5GHz多次谐波超短脉冲加载到InGaAs/InP APD上,盖革模式下的光生雪崩信号埋藏在短脉冲充放电形成的噪声中,采用700MHz低通滤波器实现了50.6dB的噪声抑制比,有效地提取出了雪崩信号。通过半导体制冷,使InGaAs/InP APD工作在-30℃,1.5GHz短脉冲驱动下的InGaAs/InP APD在1550nm的探测效率为35%,暗计数率为每门6.4×10-5,超过了单纯使用1.5GHz正弦门的探测性能,而且在15%的探测效率下,2.7ns后发生后脉冲的概率仅为每门6.0×10-5。

关 键 词：探测器  单光子探测 铟镓砷 铟磷雪崩光电二极管  

分 类 号：TN215]