文献类型：期刊文章

作　　者：沈良[1] 曲风钦[2] 宋世庚[1]

机构地区：[1]中国科学院新疆物理研究所,新疆乌鲁木齐830011 [2]烟台大学物理系,山东烟台264005

出　　处：《功能材料》

基　　金：西部之光基金资助项目

年　　份：2001

卷　　号：32

期　　号：1

起止页码：53-54

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2001476735970)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了Y掺杂对BaTiO3 系半导化薄膜PTCR特性的影响。实验发现 ,当Y掺杂浓度在 0 .1mol%～ 1.5mol%时 ,薄膜的室温电阻为 10～ 5 0Ω ,突变温区为 1℃。在 [Y3 + ] =0 .7mol%时 ,薄膜的升阻比达 10 6。实验结果表明 :薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关。

关 键 词：PTCR 掺杂浓度  钇掺杂  钛酸钡 半导体薄膜

分 类 号：TN304.055]