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高介、低损耗Ba(Ti,Zr)O_3基电容器陶瓷的研究
A Study on Ba (Ti, Zr) O 3 Capacitor Ceramics Having High Permittivity Values and Low Dielectric Losses
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]江苏理工大学材料科学与工程学院,江苏镇江212013
年 份:2001
卷 号:22
期 号:1
起止页码:66-70
语 种:中文
收录情况:普通刊
摘 要:采用正交设计实验法研究了配方对Ba(Ti,Zr)O3(BTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响BTZ基陶瓷介电性能的主次因素 ,各因素水平影响其性能的趋势 对介电常数而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、BaZrO3/BaTiO3、ZnO、CeO2 ;对介质损耗而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、ZnO、CeO2 、BaZrO3/BaTiO3 同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方 通过正交设计实验得到了综合性能最佳的BTZ基陶瓷 ,它具有高介 (ε)≥1 32 0 0低损耗 (tanδ) <60× 1 0 - 4 和高耐压 (大于 5MV/m) 探讨了各组分对BTZ基陶瓷介电性能影响机理 ,为研制高介、低损耗。
关 键 词:BT二基 陶瓷电容器 铁电 正交设计 铁酸钡 铝酸钡
分 类 号:TQ174.756] TM534.1]
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