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期刊文章详细信息

高介、低损耗Ba(Ti,Zr)O_3基电容器陶瓷的研究    

A Study on Ba (Ti, Zr) O 3 Capacitor Ceramics Having High Permittivity Values and Low Dielectric Losses

  

文献类型:期刊文章

作  者:黄新友[1] 牛宾[1] 江晓霞[1] 侍克虎[1]

机构地区:[1]江苏理工大学材料科学与工程学院,江苏镇江212013

出  处:《江苏理工大学学报(自然科学版)》

年  份:2001

卷  号:22

期  号:1

起止页码:66-70

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:采用正交设计实验法研究了配方对Ba(Ti,Zr)O3(BTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响BTZ基陶瓷介电性能的主次因素 ,各因素水平影响其性能的趋势 对介电常数而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、BaZrO3/BaTiO3、ZnO、CeO2 ;对介质损耗而言 ,主次影响因素的顺序为Nb2 O5、ZnO、CeO2 、BaZrO3/BaTiO3 同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方 通过正交设计实验得到了综合性能最佳的BTZ基陶瓷 ,它具有高介 (ε)≥1 32 0 0低损耗 (tanδ) <60× 1 0 - 4 和高耐压 (大于 5MV/m) 探讨了各组分对BTZ基陶瓷介电性能影响机理 ,为研制高介、低损耗。

关 键 词:BT二基  陶瓷电容器 铁电 正交设计 铁酸钡  铝酸钡

分 类 号:TQ174.756] TM534.1]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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