文献类型：期刊文章

作　　者：李金华[1] 陈汉松[1] 李坤[1] 汤国英[2] 陈王丽华[3]

机构地区：[1]江苏石油化工学院功能材料实验室,江苏常州213016 [2]香港理工大学电子工程系 [3]香港理工大学应用物理系

出　　处：《功能材料》

基　　金：香港GRC(大学研究基金会)资金资助项目

年　　份：2001

卷　　号：32

期　　号：1

起止页码：64-66

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研究了sol -gel掺锡氧化铟 (ITO)溶胶在SiO2 /Si衬底和光学玻璃衬底上的成膜及结晶性能 ,并与CVD法生长的ITO薄膜作了对比。结论是 ,sol -gelITO膜 ,虽然具有与CVDITO膜相似的结晶性能和较高的导电性 ,但以sol -gelITO膜作下电极 ,无法使PLT、PZT的sol -gel膜具有明显的结晶取向。因漏电太大 ,sol -gelITO也无法作sol -gel铁电膜 (如PLT ,PZT)的上电极。但在CVDITO膜上 ,sol -gel铁电膜能很好结晶 ,且Au/PLT/ITO电容 ,具有良好的电学性能。

关 键 词：ITO薄膜 铁电电容电极  SOL-GEL法 FERAM 随机存  

分 类 号：TP333.8] TN304.21[计算机类]