文献类型：期刊文章

作　　者：邱智文[1] 杨晓朋[1] 韩军[1] 曾雪松[2] 李新化[2] 曹丙强[1]

机构地区：[1]济南大学材料科学与工程学院,山东省高校无机功能材料重点实验室,济南250022 [2]中国科学院固体物理研究所,中国科学院材料物理重点实验室,合肥230031

出　　处：《无机材料学报》

基　　金：国家自然科学基金(51002065;11174112);山东省泰山学者基金(TSHW20091007);山东省自然科学基金(BS2010CL003);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-11-1027;213021A)~~

年　　份：2014

卷　　号：29

期　　号：2

起止页码：155-161

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、DOAJ、EI(收录号：20141117464567)、IC、JST、RCCSE、SCI(收录号：WOS:000332058000007)、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000332058000007)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用高压脉冲激光沉积法(HP-PLD)研究了压强、金催化层厚度对钠掺杂氧化锌纳米线(ZnO:Na)生长的影响,并制备了ZnO:Al薄膜/ZnO:Na纳米线阵列同质pn结器件。实验发现,当金膜厚度为4.2 nm,生长压强为3.33×104 Pa,生长温度为875℃时,可在单晶Si衬底上生长c轴取向性良好的ZnO纳米线阵列。X射线衍射和X射线光电子能谱综合分析证实了Na元素成功掺入ZnO纳米线晶格中。在低温(15 K)光致发光谱中,观测到了一系列由Na掺杂ZnO产生引起的受主光谱指纹特征,如中性受主束缚激子峰(3.356 eV,A0X)、导带电子到受主峰(3.312 eV,(e,A0))和施主受主对发光峰(3.233 eV,DAP)等。通过在ZnO:Al薄膜上生长ZnO:Na纳米线阵列形成同质结,测得I-V曲线具有明显的整流特性,证实了ZnO:Na纳米线具有良好的p型导电性能。

关 键 词：钠掺杂  氧化锌纳米线 高压脉冲激光沉积(HP—PLD)  

分 类 号：TQ131] O472]