期刊文章详细信息
氮化硅介质薄膜内应力的实验研究 ( EI收录)
Study of Internal Stress in Silicon Nitride Dielectric Thin Films
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]福州大学电子科学与应用物理系,福州350002
基 金：福建省自然科学基金资助项目! (E 9810 0 0 4)
年 份：2001
卷 号：21
期 号：1
起止页码：51-54
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、EI、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅介质薄膜的内应力。采用钠光平面干涉测量了氮化硅薄膜内应力 ,通过改变薄膜沉积时的工艺参数 ,考察了反应气体流量比、沉积温度、射频功率密度等因素对氮化硅薄膜内应力的影响。在此基础上 ,对氮化硅介质薄膜本征应力的形成机制进行了分析讨论。
关 键 词：内应力 氮化硅薄膜 化学气相沉积 形成机制 介质薄膜 等离子体
分 类 号：O484.2]
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