文献类型：期刊文章

作　　者：晋孝峰[1] 岳素格[1] 刘丽艳[1] 陈淼[1] 赵岳[1] 王春芳[1]

机构地区：[1]北京微电子技术研究所,北京100076

出　　处：《电子学报》

年　　份：2014

卷　　号：42

期　　号：1

起止页码：182-186

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141017430890)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：像素复位电路是CMOS图像传感器的重要组成部分，其特性直接影响着图像的质量．本文对CMOSAPS图像传感器的动态范围、抗饱和能力、图像滞后以及非线性等性能进行了分析，并讨论了通过复位电路改善CMOS图像传感器性能的方法．在本文中，设计了两种带有抗饱和电路的硬复位电路，一种是采用传统的交叉耦合结构实现电压转换，另一种是基于改进的锁存器结构并增加阈值补偿管来实现，两种方案各具特点，分别适用不同的应用要求．仿真结果表明，两种电路方案均能够使动态范围提高2—3dB，增强像素抗饱和能力，同时消除了图像滞后与弱光下的非线性．

关 键 词：CMOS图像传感器 硬复位电路  动态范围 抗饱和 图像滞后  非线性

分 类 号：TN43]