文献类型：期刊文章

作　　者：林金阳[1] 张永爱[2] 杨尊先[2] 郭太良[2]

机构地区：[1]福建工程学院电子电气系,福州350108 [2]福州大学光电显示技术研究所,福州350002

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家自然科学基金项目(61106053);福建省自然科学基金项目(2012D068;2013J01236);福建工程学院基金项目(GY-Z13040)

年　　份：2014

卷　　号：34

期　　号：1

起止页码：96-99

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、EI(收录号：20141017419933)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用磁场后处理法改变碳纳米管的表面结构,增强了碳纳米管场发射性能。采用SEM对样品的处理前后的形貌进行了表征,场发射的数据显示,相对于,未经过任何处理的碳纳米管阴极,磁场后处理过的碳纳米管冷阴极的开启电场(电流密度为0.1 mA/cm2时的电场)由1.05降低到0.73 V/μm,场增强因子从1656增加到2045,场发射的亮度及均匀度均得到改善。相对其它后处理方法,磁场后处理法是一种简单、经济且有效的增强碳纳米管的场发射特性的方法。

关 键 词：碳纳米管 场致发射 磁场TB332  

分 类 号：TN873]