期刊文章详细信息
GaN薄膜在自持金刚石衬底上的ECR—PEMOCVD法的生长研究
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]沈阳医学院计算机与数理基础教学部数理教研室,辽宁沈阳110034 [2]沈阳工程学院新能源学院新能源材料与器件系,辽宁沈阳110136
基 金：辽宁省教育厅科学研究一般项目(L2012374)
年 份：2014
期 号：2
起止页码：42-44
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：利用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,采用三甲基镓(TMGa)和氮气(N2)作为实验反应源,改变不同的沉积温度,在自支持金刚石衬底上沉积制备了高择优取向的GaN薄膜。利用高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)和原子力显微镜(AFM)等测试方式,研究了沉积温度的变化对GaN薄膜的结晶性和表面形貌的影响。
关 键 词：自持金刚石衬底 GAN薄膜 ECR—PEMOCVD 沉积温度
分 类 号：O484.1]
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