文献类型：期刊文章

作　　者：张鹏[1,2] 徐征[1] 赵谡玲[1] 田玉华[2] 王庆伟[1,2]

机构地区：[1]北京交通大学理学院太阳能研究所,北京100044 [2]北京中联科伟达技术股份有限公司,北京100012

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：教育部博士点基金(20130009130001);国家自然科学基金(51272022);教育部博士点基金(20120009130005);教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-10-0220);中央高校基本科研业务费专项资金(2012JBZ001)

年　　份：2014

卷　　号：35

期　　号：1

起止页码：134-138

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20141017420079)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在沉积氮化硅薄膜之前采用氨气电离出氢等离子体，先对硅片进行氢等离子体预处理，通过数值分析和实验方法分别研究预处理时间、功率、温度、压力等各参数对钝化效果以及电学性能的影响。在预处理温度450~C，时间200s，射频功率4000W，气体压强200Pa，氨气流量4000sccm／min时，短路电流提高约4％。采用等离子体增强型的化学气相沉积（PECVD）法，在电池表面镀上一层氮化硅膜，实验证实氢等离子体会透过氮化硅进入到硅基体内，从而使少子寿命提高约51xs。低温退火实验表明，430～440％为最优温度，随时间的增加，短路电流有明显提升。

关 键 词：PECVD 氮化硅薄膜 等离子体预处理 少子寿命 退火

分 类 号：TK513]