文献类型：期刊文章

作　　者：郭祖强[1] 钱可元[1]

机构地区：[1]清华大学深圳研究生院深圳市信息科学与技术重点实验室,广东深圳518055

出　　处：《半导体光电》

年　　份：2013

卷　　号：34

期　　号：6

起止页码：930-934

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：外延晶格失配等引入的非辐射复合缺陷是影响GaN基LED性能的重要因素。对不同LED样品老化1 600h前后的I-V特性、理想因子以及量子效率、发光特性进行了测量研究,并结合非辐射复合缺陷的定量测量,分析验证了非辐射复合缺陷对LED老化性能的影响。结果表明,非辐射复合缺陷是造成GaN基LED老化过程中隧穿电流增大、I-V特性偏离理想模型、理想因子增大以及光输出非线性化等现象的根本因素。在此基础上建立了非辐射复合缺陷浓度与LED老化性能之间的关系模型,提出了一种基于非辐射复合缺陷浓度及其恶化系数的GaN基LED老化性能评测方法。

关 键 词：非辐射复合缺陷  GAN基LED 老化性能  

分 类 号：TN312.8]