期刊文章详细信息
半导体PN结器件一维稳态模拟
Modeling of one-dimensional static semiconductor PN devices
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]常德师范学院电磁理论研究所,常德415000 [2]西北核技术研究所,西安710024
年 份：1999
卷 号：20
期 号：6
起止页码：34-39
语 种：中文
收录情况：NSSD、普通刊
摘 要：从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发，建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型，并编制了一维德态程序，瞬态程序及二维模型研究将随后开展。
关 键 词：计算机模拟 一维稳态 半导体PN结器件 烧毁 微波
分 类 号：O475] O472.2[物理学类]
参考文献：
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