文献类型：期刊文章

作　　者：郑志霞[1] 冯勇建[2]

机构地区：[1]莆田学院电子信息工程系,莆田351100 [2]厦门大学机电工程系,厦门361005

出　　处：《电子测量与仪器学报》

基　　金：国家国际合作基金(对俄合作项目2011DFR11160);福建省高校产学研合作重大基金(3502Z20103012);莆田市自然科学基金区域重大(2010G03)资助项目

年　　份：2013

卷　　号：27

期　　号：12

起止页码：1141-1147

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD2013_2014、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：介绍了一种基于SOI／硅片键合技术制作的接触电容式高温压力传感器结构，并对传感器的测试装置、测试方法进行详细的介绍后，对传感器进行压力测试和温度特性测试。压力测试结果表明，传感器线性工作区压力为110～280kPa，灵敏度约为0．14pF／kPa；温度特性测试结果表明，传感器具有正温度效应，在30～300％，传感器输出误差约为0．5％。文中还分析了热胀冷缩及介电常数温度系数对传感器温度效应的影响，以及设计了参考电容及运算放大器式传感器测量电路来消除温度效应。

关 键 词：接触电容  传感器 压力测量  温度效应 运算放大器

分 类 号：TP212] TN99]