文献类型：期刊文章

作　　者：王永成[1] 唐静[1] 郑耿锋[1]

机构地区：[1]复旦大学化学系先进材料实验室,上海200433

出　　处：《中国科学：化学》

基　　金：国家自然科学基金(21071033;21322311)资助

年　　份：2013

卷　　号：43

期　　号：12

起止页码：1730-1735

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、PUBMED、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅纳米线是近十几年来在纳米科学与技术领域快速发展的一种重要材料.通过精细的结构设计与材料合成,硅纳米线在生物传感、锂离子电池、太阳能电池和光电化学等领域展示出良好的应用前景.化学气相沉积(CVD)法是一大类重要的自下而上合成硅纳米线方法.本文简介了CVD法合成硅纳米线的主要进展,包括具有单一结构和复合结构的硅纳米线的合成.其中,单一结构的硅纳米包括本征(无掺杂)、掺杂和超长的硅纳米线;复合结构的硅纳米线包括轴向异质结、径向异质结、转折结构和树枝状结构的硅纳米线.

关 键 词：硅纳米线 化学气相沉积法 单一结构  复合结构 掺杂

分 类 号：TB383.1[材料类]