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期刊文章详细信息

含磁控和荷控两种忆阻器的混沌电路设计与仿真  ( EI收录)  

Design and simulation of chaotic circuit for flux-controlled memristor and charge-controlled memristor

  

文献类型:期刊文章

作  者:洪庆辉[1] 曾以成[1] 李志军[2]

机构地区:[1]湘潭大学光电工程系,湘潭411105 [2]湘潭大学通信工程系,湘潭411105

出  处:《物理学报》

基  金:国家自然科学基金(批准号:61233010;61176032)资助的课题~~

年  份:2013

卷  号:62

期  号:23

起止页码:45-51

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20135017088893)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000328931400008)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘  要:利用惠普实验室荷控和磁控两种忆阻器模型设计了一个五阶混沌电路.数值仿真结果表明该电路在参数变化情况下能产生Hopf分岔和反倍周期分岔两种分岔行为,并能产生双涡卷、单涡卷、周期态等不同相轨道.为了验证电路的混沌行为,利用基本元器件设计了惠普实验室荷控和磁控忆阻器模拟器,并将其应用到对所设计电路中进行Pspice仿真,电路仿真结果验证了理论分析的正确性.

关 键 词:混沌电路 HP忆阻器  模拟器 PSPICE仿真

分 类 号:TM13]

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引证文献:

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同被引文献:

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