期刊文章详细信息
金属氧化物TFT驱动AMOLED显示研究进展
Research progress of active matrix organic light emitting diode (AMOLED) displays driven by metal oxide thin film transistors (TFT)
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]发光材料与器件国家重点实验室 [2]华南理工大学高分子光电材料与器件研究所,广州510640 [3]广州新视界光电科技有限公司,广州510730
基 金:国家自然科学基金(61306099);中央高校基本科研业务费(2012ZM0003);广东省优博基金(SYBZZXM201113);广东省教育部产学研结合(2011A090200109)项目资助
年 份:2013
卷 号:43
期 号:11
起止页码:1383-1397
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、JST、PUBMED、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要:金属氧化物薄膜晶体管(metal oxide thin film transistor,MOTFT)由于具有迁移率高、均匀性好、工艺简单、工艺温度低、成本低等优势,非常适合高分辨率、大尺寸液晶显示(LCD)和有源矩阵有机发光二极管显示(AMOLED)等新型显示技术发展的需要,因此受到业界和学界的广泛关注.结合本课题组的工作,本文阐述了MOTFT的材料、器件结构、制作工艺以及应用,并对影响MOTFT性能的因素进行了讨论.本课题组开发的新型MOTFT迁移率可达35cm^2/(Vs),阈值电压为1.63V,开关比为10^9,亚阈值摆幅为0.21Wdecade.基于自主开发的MOTFT背板,在国内率先实现了3—5英寸彩色AMOLED显示屏、透明AMOLED显示屏以及柔性AMOLED显示屏,展示了MOTFT背板良好的应用前景.
关 键 词:金属氧化物 氧化物半导体 薄膜晶体管 有机发光二极管 主动矩阵 柔性显示屏
分 类 号:TN141]
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