文献类型：期刊文章

作　　者：杨鑫鑫[1] 魏晓旭[1] 王军转[1] 施毅[1] 郑有炓[1]

机构地区：[1]南京大学电子科学与工程学院,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京210093

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金青年科学基金(批准号:61204050);江苏省自然科学基金(批准号:BK2011435)资助的课题~~

年　　份：2013

卷　　号：62

期　　号：22

起止页码：366-370

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20134917048449)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000327815700053)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)在温度340 K附近会发生金属绝缘体的转变(metal-insulator transition,MIT).基于金属绝缘体的转变性质,VO2薄膜材料具有很好的应用前景.本文首先采用脉冲激光沉积制备了高质量的V2O5薄膜,再通过高温氢退火还原V2O5薄膜制备出VO2多晶薄膜.研究了不同的退火温度、退火时间、退火气氛对VO2薄膜制备的影响,采用X射线衍射、X射线光电子能谱、变温电阻特性测量等手段对样品进行分析,发现在H2(5%)/Ar退火气氛下,在一定的退火温度范围内(500—525 C),退火3 h,得到了B相和M相共存的VO2薄膜,具有M相的VO2的MIT特性,而相同退火温度下退火时间达到4.5 h,薄膜完全变成B相的VO2.通过纯Ar气氛下对B相VO2再退火,得到了转变温度为350 K,电阻突变接近4个数量级的M相的VO2薄膜.实现了VO2的B相和M相的相互转变.

关 键 词：VO2薄膜 金属绝缘体转变  氢退火  

分 类 号：O484.1]