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期刊文章详细信息

Vaughan二次电子发射模型的深入研究与拓展  ( EI收录)  

Research and extension of Vaughan's secondary electron emission

  

文献类型:期刊文章

作  者:游检卫[1] 张剑锋[1] 李韵[2] 王洪广[3]

机构地区:[1]东南大学毫米波国家重点实验室,南京210096 [2]西安空间无线电技术研究所空间微波技术重点实验室,西安710100 [3]西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室,西安710049

出  处:《强激光与粒子束》

基  金:国家973项目

年  份:2013

卷  号:25

期  号:11

起止页码:3035-3039

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20135217144949)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:当前国际上基于Vaughan二次电子模型的材料数据库十分丰富,且其数据均经过大量实验验证,具有很高的实验精度和可信度。为了将这些数据库融入到自主开发的电磁粒子联合模拟平台,完善和提高电磁粒子混合算法的计算精度,在对经典Vaughan模型做了深入研究的基础上,成功地推导出产生二次电子数目的计算方法。此外,为了使经典Vaughan二次电子发射理论更便捷和完整地应用到实际工程应用当中,还对二次电子出射能量以及二次电子出射角度的计算等实际问题做了进一步的拓展性研究。数值计算结果验证了拓展后Vaughan模型算法的准确性和鲁棒性。

关 键 词:二次电子发射模型  Vaughan模型  电磁粒子仿真  出射能量  出射角度  

分 类 号:O462.2]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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