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期刊文章详细信息

关于超大规模集成电路制造中的应力迁移问题    

The Problem About Stress Migration in the VLSI Manufacture

  

文献类型:期刊文章

作  者:郭佳惠[1] 祝六花[1]

机构地区:[1]华越微电子有限公司,浙江绍兴市312016

出  处:《电子器件》

年  份:2000

卷  号:23

期  号:4

起止页码:262-266

语  种:中文

收录情况:CAS、INSPEC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘  要:应力迁移是影响集成电路 ( IC)金属配线可靠性的缺陷之一。它缘起于绝缘膜与金属配线之间的热应力。本文概要介绍两种性质的绝缘膜产生的两种应力缺陷以及检测方式 ,并分类说明金属膜厚、线宽、温度等与应力的关系。简要说明应力迁移产生的可能机理及目前采取的几种对策。

关 键 词:应力迁移  金属配线  ULSI 集成电路 制造  

分 类 号:TN470.5]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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