文献类型：期刊文章

作　　者：李豫东[1,2] 汪波[1,2,3] 郭旗[1,2] 玛丽娅[1,2,3] 任建伟[4]

机构地区：[1]中国科学院新疆理化技术研究所,新疆乌鲁木齐830011 [2]中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆乌鲁木齐830011 [3]中国科学院大学,北京100049 [4]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春130033

出　　处：《光学精密工程》

基　　金：国家自然科学基金青年基金资助项目(No.11005152);中国科学院西部之光西部博士科研基金资助项目(No.XBBS200911)

年　　份：2013

卷　　号：21

期　　号：11

起止页码：2778-2784

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20140117158177)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研制了中荷耦合器件（CCD）与互补金属氧化物半导体有源像素图像传感器（CMOS APS）辐射效应测试系统,用于研究CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应并准确评估器件的空间辐射环境适应性.该系统采用光机电一体化结构设计,包括光电响应性能检测、光谱检测、控制及数据处理3个分系统,可对器件的光电响应性能、光谱特性进行全面的定量测试与分析.系统的光谱分辨率为1 nm,工作波段为0.38～1.1 μm.目前,该系统与新疆理化所现有的辐照装置结合,构成了光电成像器件辐射效应模拟试验与抗辐射性能评估平台,已为国产宇航CCD与CMOS APS图像传感器的研制、空间应用部门的成像器件选型工作提供了多次考核评估试验.应用情况表明,该系统可定量检测与评价CCD、CMOS APS图像传感器的辐射效应与抗辐射性能,为深入开展光电成像器件的辐射效应研究提供了完善的试验研究条件.

关 键 词：CCD CMOS APS 辐射效应  抗辐射性能  

分 类 号：TN386.5]