文献类型：期刊文章

作　　者：韩军[1] 张鹏[1] 巩海波[1] 杨晓朋[1] 邱智文[1] 自敏[1] 曹丙强[1]

机构地区：[1]济南大学材料科学与工程学院,山东省高校无机功能材料重点实验室,济南250022

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11174112;51002065);山东省泰山学者基金(批准号:TSHW20091007);教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-11-1027);山东省杰出青年基金资助(批准号:JQ201214)资助的课题~~

年　　份：2013

卷　　号：62

期　　号：21

起止页码：301-307

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20134616980459)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000327481900040)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中,铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响,并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨.变温霍尔效应和光透射测量表明,当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时,所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离,因Bernstein-Moss(BM)效应其带隙变大,均为重掺杂简并半导体.进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响,实验发现当氧压为1 Pa,衬底温度为200℃时,AZO导电性能最好,其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s,薄膜电阻率最小可达2.7×10-4Ω·cm,且在可见光范围内光透过率超过了85%.氧压和温度的增加,都会导致薄膜电阻率变大.

关 键 词：脉冲激光沉积法 ZNO:AL薄膜 透光性 导电性

分 类 号：O484.4]