文献类型：期刊文章

作　　者：刘华松[1] 王利栓[1] 姜承慧[1] 刘丹丹[1] 姜玉刚[1] 吴炳俊[2] 季一勤[1]

机构地区：[1]天津津航技术物理研究所薄膜光学重点实验室,天津300192 [2]钦州学院物理与材料科学学院,广西钦州535000

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金重点项目(61235011);国家重大科学仪器专项子项目(2012YQ04016405);天津市自然科学青年基金(12JCQNIC01200);天津市自然科学基金(13JCYBJC17300)

年　　份：2013

卷　　号：33

期　　号：10

起止页码：301-306

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20134817030513)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：离子束溅射(IBS)与电子束蒸发(EBE)是常用的SiO2薄膜制备方法。基于椭圆偏振法和全光谱拟合法,研究了离子束溅射和电子束蒸发两种工艺方法制备的SiO2薄膜的可见光与红外波段光学常数色散特性。在可见光波段的色散,SiO2薄膜的折射率均高于块体材料;在红外波段的色散,通过对特征吸收峰分析确定了SiO2薄膜的化学缺陷。研究结果表明:IBS SiO2薄膜的化学缺陷少于EBE SiO2薄膜,仅存在少量的H2O分子和Si-OH化学键,在EBE SiO2薄膜中,除这两种缺陷外还包含大量的Si-H化学键缺陷,说明EBE SiO2薄膜中的化学反应缺陷多于IBS SiO2薄膜,从而证明采用IBS工艺可有效控制SiO2薄膜的化学缺陷。

关 键 词：薄膜  离子束溅射 电子束蒸发 化学缺陷  

分 类 号：O484.4]