文献类型：期刊文章

作　　者：严冬[1] 李国光[1] 刘涛[1] 熊伟[1] 李成敏[2] 郭青杨[2] 叶甜春[1]

机构地区：[1]中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室,北京100029 [2]北京智朗芯光科技有限公司,北京100191

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家02重大专项资助项目(2011ZX02101-005)

年　　份：2013

卷　　号：43

期　　号：5

起止页码：727-730

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2013_2014、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：研制可用于膜厚检测的系统,获取薄膜反射光谱,基于多层膜反射率模型和非线性回归算法得到厚度分布图。对SOI材料的反射光谱进行测试及分析,结果表明,对于厚度为30μm的顶层硅,其静态重复性为±0.01nm,动态重复性为±1.30nm;对于厚度为2μm的氧化层,其静态重复性为±0.02nm,动态重复性为±1.60nm。该技术还适用于其他集成电路制造工艺中不同材质的膜厚检测。

关 键 词：S01  反射测定法  膜厚检测  形貌

分 类 号：TN307]