文献类型：期刊文章

作　　者：李光平[1] 汝琼娜[2] 李静[1] 何秀坤[1] 王寿寅[2] 陈祖祥[2]

机构地区：[1]信息产业部电子第四十六研究所天津55信箱,天津300192 [2]北京伯乐分析生化仪器有限公司,北京100029

出　　处：《功能材料与器件学报》

年　　份：2000

卷　　号：6

期　　号：4

起止页码：365-368

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD_E2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：研究了扫描光致发光光谱 (PLmapping)在表征半绝缘砷化镓 (SI GaAs)材料中的应用 ,实验结果表明SI GaAs晶片的PL强度及mapping均匀性对器件性能有着十分密切的关系 ,所以在为制备器件筛选优质的SI GaAS材料时 ,除了电阻率、迁移率、位错密度、碳含量、EL2浓度及其均匀性、晶片表面质量外 ,PLmapping也是表征材料质量的一个重要参数。

关 键 词：光致发光光谱 表征材料  半绝缘砷化镓

分 类 号：TN304.23] O472.3]