文献类型：期刊文章

作　　者：张洪涛[1,2] 詹云峰[1,2] Georg Bastian[3] Uli Lemmer[4]

机构地区：[1]湖北工业大学电气与电子工程学院通信工程系,武汉430068 [2]湖北工业大学电气与电子工程学院纳米电子技术与微系统实验室,武汉430068 [3]Hochschule-Rhein-Waal [4]Universitat Karlsruhe(TH),Lichttechnisches Institut

出　　处：《固体电子学研究与进展》

基　　金：德国Karlsruhe University;Lichttechnisches Institut 2003-2004年度对这项工作的资助

年　　份：2013

卷　　号：33

期　　号：5

起止页码：405-409

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD_E2013_2014、核心刊

摘　　要：采用碳化硅4H/6H多型纳米线制备单电子晶体管,在室温下观察到库仑阻塞效应和负微分电阻,I-V曲线呈现典型的库仑台阶,其台阶为周期性的,这些周期性小台阶,又呈现非周期的嵌套结构。单根纳米线碳化硅由4H/6H多型交替生长构成,它们嵌合构成竹节状生长,碳化硅多型结构中4H多型晶体构成双势垒,其直径为10~80nm,长度约50nm。而联结4H多型的6H多型晶体部分,长度约20nm,且直径较细(约10~35nm),被认为是库仑孤岛。

关 键 词：室温单电子晶体管  纳米线 碳化硅 多型异质结构  库仑阻塞效应  

分 类 号：TN304.24]