文献类型：期刊文章

作　　者：魏哲[1] 袁健美[2] 李顺辉[1] 廖建[1] 毛宇亮[1]

机构地区：[1]湘潭大学材料与光电物理学院,微纳能源材料与器件湖南省重点实验室,湘潭411105 [2]湘潭大学数学与计算科学学院,科学工程计算与数值仿真湖南省重点实验室,湘潭411105

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11004166;11101346;11374251);湖南省教育厅科学研究基金(批准号:11B126;12K046;YB2011B029);湖南省自然科学基金(批准号:12JJ9002);信息光子学与光通信国家重点实验室(北京邮电大学)开放基金;国家级大学生创新创业训练计划(批准号:201210530002;201210530013)资助的课题~~

年　　份：2013

卷　　号：62

期　　号：20

起止页码：142-148

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20134416940473)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000327189800019)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了含B原子空位(VB),N原子空位(VN),以及含B N键空位(VB+N)缺陷的二维氮化硼(h-BN)的电子和磁性质.在微观结构上,VB体系表现为在空位附近的N原子重构成等腰三角形,VN体系靠近空穴的B原子形成等边三角形,VB+N体系靠近空穴处的B和N原子在h-BN平面上重构为梯形.三种空位缺陷都使h-BN的带隙类型从直接带隙转变为间接带隙.VB体系的总磁矩为1.0μB,磁矩全部由N原子贡献.其中空穴周围的三个N原子磁矩方向不完全一致,存在着铁磁性和反铁磁性两种耦合方式.对于VN体系,整个晶胞内的总磁矩也为1.0μB,磁矩在空穴周围区域呈现一定的分布.

关 键 词：二维h-BN  空位 电子结构 磁性

分 类 号：O469]