期刊文章详细信息
底部真空负压浸渗工艺制备β-SiC_p/Al电子封装材料
β-SiC_p/Al Composites for Electronic Packaging Prepared by the Process of Bottom-Vacuum Negative Pressure Infiltration
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]西安科技大学材料科学与工程学院,陕西西安710054 [2]陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心,陕西西安710054 [3]陕西西科博尔科技有限责任公司,陕西西安710054
基 金:国家自然科学基金资助项目(51074123);陕西省科学技术研究发展计划项目(2010TG-02);西安科技大学博士培育基金项目(2012QDJ034)
年 份:2013
卷 号:62
期 号:10
起止页码:953-957
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:摘要:针对国内目前sic/A1在产业化中存在的诸多问题,选用W20和w60的β-SiC粉体,采用模压成型制备SiC预制体,并通过底部真空负压浸渗工艺制备了致密度为96%~98%、体积分数为55%~72%的β-SiCp/Al复合材料。XRD、SEM、CT和CTE测试分析表明:所制备的复合材料中存在MgAl20。尖晶石相,没有发现Al4C3脆性相;复合材料组织均匀,存在少量浸渗缺陷,孔洞较少;SiC体积分数为72%的复合材料在常温热度下的热膨胀系数为6.91×10-6/K,热导率为164.8W/(m·K),而sic体积分数为65%的复合材料的热膨胀系数为7.31×10-6/K,热导率为172.7W/(m.K)。
关 键 词:无压浸渗 β-SiCp AL复合材料 热膨胀系数 热导率
分 类 号:TB333[材料类] TN604]
参考文献:
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引证文献:
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