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期刊文章详细信息

底部真空负压浸渗工艺制备β-SiC_p/Al电子封装材料    

β-SiC_p/Al Composites for Electronic Packaging Prepared by the Process of Bottom-Vacuum Negative Pressure Infiltration

  

文献类型:期刊文章

作  者:谢斌[1,2] 王晓刚[1,2,3] 华小虎[1,2,3] 易大伟[1,2,3]

机构地区:[1]西安科技大学材料科学与工程学院,陕西西安710054 [2]陕西省硅镁产业节能与多联产工程技术研究中心,陕西西安710054 [3]陕西西科博尔科技有限责任公司,陕西西安710054

出  处:《铸造》

基  金:国家自然科学基金资助项目(51074123);陕西省科学技术研究发展计划项目(2010TG-02);西安科技大学博士培育基金项目(2012QDJ034)

年  份:2013

卷  号:62

期  号:10

起止页码:953-957

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:摘要:针对国内目前sic/A1在产业化中存在的诸多问题,选用W20和w60的β-SiC粉体,采用模压成型制备SiC预制体,并通过底部真空负压浸渗工艺制备了致密度为96%~98%、体积分数为55%~72%的β-SiCp/Al复合材料。XRD、SEM、CT和CTE测试分析表明:所制备的复合材料中存在MgAl20。尖晶石相,没有发现Al4C3脆性相;复合材料组织均匀,存在少量浸渗缺陷,孔洞较少;SiC体积分数为72%的复合材料在常温热度下的热膨胀系数为6.91×10-6/K,热导率为164.8W/(m·K),而sic体积分数为65%的复合材料的热膨胀系数为7.31×10-6/K,热导率为172.7W/(m.K)。

关 键 词:无压浸渗 β-SiCp  AL复合材料 热膨胀系数  热导率  

分 类 号:TB333[材料类] TN604]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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