文献类型：期刊文章

作　　者：孙顺平[1] 李小平[1] 雷卫宁[1] 王洪金[1] 汪贤才[2] 江海锋[2] 李仁兴[1] 江勇[3] 易丹青[3]

机构地区：[1]江苏理工学院材料工程学院,常州213001 [2]池州学院机械与电子工程系,池州247000 [3]中南大学材料科学与工程学院,长沙410083

出　　处：《中国有色金属学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51071177);安徽省重点资助项目(11070203010);江苏理工学院博士科研启动基金(KYY12008)

年　　份：2013

卷　　号：23

期　　号：8

起止页码：2147-2155

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：运用第一性原理平面波赝势方法计算金属间化合物L12-Al3Sc的基本物性,并通过计算点缺陷形成能推测L12-Al3Sc点缺陷的主要存在形式,结合电荷密度和态密度的分析揭示L12-Al3Sc的成键行为。结果表明:L12-Al3Sc的晶格常数为4.107?,体模量为86.5 GPa,形成焓为-43.83 kJ/mol。L12-Al3Sc的点缺陷主要为Al亚晶格上的Al空位和Sc反位缺陷。L12-Al3Sc中Sc空位与Al反位缺陷的形成能较为接近,表明富Al合金中Sc空位和Al反位缺陷易于共同存在;Sc反位缺陷的形成能小于Al空位的,表明富Sc合金的点缺陷为Sc反位缺陷。L12-Al3Sc的成键电荷密度呈纺锤状,表现出Sc d-Al p的轨道杂化效应,其杂化轨道主要为Sc dz2-Al pz轨道杂化。

关 键 词：L12-Al3Sc  点缺陷结构  第一性原理计算 成键行为  杂化

分 类 号：TG146.2[材料类]