期刊文章详细信息
三维集成电路测试进展
Three-dimensional IC Test Progress
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]苏州大学电子信息学院微电子学系,江苏苏州215006
基 金：2012年苏州大学国家自然科学基金启动项目
年 份：2013
卷 号：22
期 号：10
起止页码：63-69
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：从小柳光正教授1978年堆叠的两只MOS电容DRAM的三维结构出发,到2010年半导体业界提出了Cu-TSV工艺方法,演进出一部三维集成微纳电子学。本文梳理近6年内的3D-IC测试的一次文献,重点分析了键合前测试、键合中测试和键合后测试。尝试从不同的角度,例如内建自测试、探头技术、串扰、短路与开路检测,以及基于成本优化的温升与应力检测,讨论3D-IC测试所遇到的难题及其解决方法。未来的3D-IC测试技术看好小组数超微探针技术、DfX技术和自适应测试,测试的优化方向必将考虑"成本与功耗折中权重下的良率"新模型。
关 键 词：三维集成电路 硅通孔 测试
分 类 号：TN407]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
