文献类型：期刊文章

作　　者：许成龙[1,2] 李朋伟[1,2] 张文栋[1] 桑胜波[1,2] 胡杰[1,2] 程超群[1,2] 郭兴军[1,2] 李刚[1,2]

机构地区：[1]太原理工大学微纳系统研究中心,太原030024 [2]太原理工大学新型传感器与智能控制教育部和山西省重点实验室,太原030024

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51205275;51205276)

年　　份：2013

卷　　号：50

期　　号：9

起止页码：559-565

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电容式RF MEMS开关是下一代高频通信领域中的关键部件。首先,介绍了电容式RF MEMS开关的结构、工作原理以及失效机理。介质充电是制约电容式RF MEMS开关长期可靠性的主要原因,介质膜中的陷阱以及施加在介质膜中高电场是引起介质层中电荷积累的根源。在此基础上,归纳总结了前期减少电荷积累所采用的不同途径,如改善介质层、降低驱动电压、优化驱动波形、优化结构设计和采用非静电的驱动方式等,并举例说明了这些途径的优缺点,最后讨论并指出了未来消除电荷积累的可行性研究方向。

关 键 词：RF  MEMS开关 介质充电  电荷积累  陷阱  电场

分 类 号：TH703[仪器类] TN63]