文献类型：期刊文章

作　　者：何红波[1] 周继承[1] 胡慧芳[1] 李义兵[1]

机构地区：[1]长沙铁道学院信息学院材料研究所,长沙410075

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金!( 69890 2 2 7;69771 0 1 1 ;69971 0 0 7);霍英东基金资助项目&&

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：12

起止页码：1189-1192

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2001396661328)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：用简谐势描述量子点中电子所受的约束 ,通过简谐势模型利用自洽迭代的方法计算了Cd S、Pb S等半导体纳米粒子的充电电容 ,从而找到了其在室温下形成单电子器件的最大粒径 .

关 键 词：纳米粒子  电容 半导体 量子点 简谐势

分 类 号：TN304]