文献类型：期刊文章

作　　者：徐刚毅[1] 王天民[1,2] 李国华[3] 王金良[2] 何宇亮[2] 马智训[4] 郑国珍[4]

机构地区：[1]兰州大学材料科学系,兰州730000 [2]北京航空航天大学材料物理与化学研究中心,北京100083 [3]中国科学院半导体研究所超晶格与微结构国家重点实验室,北京100083 [4]中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083

出　　处：《Journal of Semiconductors》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(59982002)

年　　份：2000

卷　　号：21

期　　号：12

起止页码：1170-1176

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX1996、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EBSCO、EI(收录号：2001396661326)、IC、INSPEC、JST、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过等离子增强化学气相沉积法 ,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜 (nc- Si:H) ,研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响 .结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的 TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值 .X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加 ,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多 ,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性 ,进一步减小声子的平均自由程 ,导致实验值偏离理论计算值 .晶格平移对称性的破缺还体现在 ,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加 ,喇曼谱中 TA、LA振动模的相对散射强度增加 .

关 键 词：纳米硅薄膜 喇曼谱 声子限制模型  

分 类 号：TN304]