文献类型：期刊文章

作　　者：邱纯[1] 蔡涛[1] 段善旭[1] 代倩[1] 申彦波[2] 陈正洪[3]

机构地区：[1]华中科技大学电气与电子工程学院,强电磁工程与新技术国家重点实验室,武汉430074 [2]中国气象局公共气象服务中心,北京100081 [3]湖北省气象科技服务中心,武汉430074

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：公益性行业(气象)科研专项(GYHY201006036);国家重点基础研究发展(973)计划(2010CB227206);中央高校基本科研业务费专项资金(HUST2010MS102)

年　　份：2013

卷　　号：34

期　　号：9

起止页码：1626-1632

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20134516955071)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以硅光伏电池的单二极管等效电路模型为基础并引入半经验参数,推导模型参数的计算方法以及辐射强度与温度对模型参数的影响。该方法仅使用标准测试条件下的电气参数便可计算任意状况下的I-V特性曲线。仿真与实验结果表明该模型对于I-V曲线的预测误差在标准测试条件下小于2%,其他工作状况下小于5%。

关 键 词：硅光伏电池  数学模型 参数提取  数值迭代  I-V特性

分 类 号：TK514]