文献类型：期刊文章

作　　者：许高斌[1] 皇华[1] 展明浩[1,2] 黄晓莉[1] 王文靖[2] 胡潇[1] 陈兴[1]

机构地区：[1]合肥工业大学电子科学与应用物理学院安徽省MEMS工程技术研究中心,合肥230009 [2]中国兵器工业集团北方通用电子集团有限公司,蚌埠233042

出　　处：《真空科学与技术学报》

基　　金：国家"863"计划(2013AA041101);安徽省科技攻关计划项目(No.10120106005)

年　　份：2013

卷　　号：33

期　　号：8

起止页码：832-835

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD_E2013_2014、EI(收录号：20133916790090)、JST、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术是微机电系统器件加工中的关键技术之一。利用英国STS公司STS Multiplex刻蚀机,研究了ICP刻蚀中极板功率、腔室压力、刻蚀/钝化周期、气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,分析了刻蚀速率和侧壁垂直度的影响原因,给出了深硅刻蚀、侧壁光滑陡直刻蚀和高深宽比刻蚀等不同形貌刻蚀的优化工艺参数。

关 键 词：感应耦合等离子体刻蚀 深硅刻蚀  侧壁光滑陡直刻蚀  高深宽比刻蚀  工艺参数

分 类 号：TN405.98]