文献类型：期刊文章

作　　者：郝斌[1] 刘剑[1] 刘进强[1] 王福[2]

机构地区：[1]唐山学院环境与化学工程系,河北唐山063000 [2]中国科学院唐山高新技术研究与转化中心,河北唐山063000

出　　处：《材料热处理学报》

基　　金：国家重点实验室开放课题项目(2011Z-05);唐山市科学技术研究与发展规划项目(11110210B-6-5)

年　　份：2013

卷　　号：34

期　　号：8

起止页码：1-5

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20134817030259)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：将干燥后的硅溶胶-活性炭作为反应物,在不加入任何金属催化剂的情况下,利用微波加热碳热还原法合成碳化硅晶须,研究反应温度和时间及坩埚部位对产物的影响。结果表明:30 min时,温度由1300℃升高到1600℃,产物中物相β-SiC越来越多;1500℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和团聚在一起的SiC晶须;坩埚底部的产物主要为表面光滑的SiO2颗粒。1600℃条件下,合成产物在坩埚的上部和中部主要分别为分散的SiC晶须和等轴状β-SiC颗粒,底部为晶须和颗粒的混合物。1500℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率优于1600℃×30 min得到的SiC晶须产率和直晶率。

关 键 词：微波烧结 温度 碳化硅 晶须

分 类 号：TQ175.4]