文献类型：期刊文章

作　　者：张志勇[1] 张普[1] 聂志强[1] 李小宁[1] 熊玲玲[1] 刘晖[1] 王贞福[1] 刘兴胜[1,2]

机构地区：[1]中国科学院西安光学精密机械研究所,瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安710119 [2]西安炬光科技有限公司,西安710119

出　　处：《强激光与粒子束》

基　　金：中国科学院"百人计划"项目资助课题

年　　份：2013

卷　　号：25

期　　号：8

起止页码：1904-1910

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20133416646616)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以硬焊料传导制冷,30%填充因子半导体激光器阵列为例,建立了三维有限元模型,对阵列内部各发光单元之间的热串扰行为进行了分析研究。结果表明,当其连续波工作时间大于1.2 ms后,阵列内发光单元之间出现热串扰现象;当次热沉由CuW合金改为铜金刚石复合材料时,阵列内发光单元自热阻和相邻发光单元的串扰热阻降低,有效地降低了各发光单元之间的热串扰行为。保持阵列宽度、发光单元数目及发光单元周期不变,发现随阵列填充因子的增加,器件热阻以指数衰减趋势逐渐降低,而发光单元间的热串扰特性对此变化并不敏感;保持阵列单个发光单元输出功率,发光单元尺寸及阵列宽度不变,增加发光单元个数后,阵列内各发光单元之间热串扰加剧,填充因子越高阵列升温速率越快;但在最初约70μs内,包含不同数目发光单元的阵列最高温度差异仅约0.5℃,有利于多发光单元高填充因子器件高功率输出。

关 键 词：激光器 热串扰  有限单元法 半导体激光器阵列 热阻

分 类 号：TN248.4]