文献类型：期刊文章

作　　者：李宏建[1] 瞿述[1] 剪之渐[1] 彭景翠[1] 向建南[2]

机构地区：[1]湖南大学电子材料研究所,10082 [2]湖南大学化学化工学院,长沙410082

出　　处：《Chinese Journal of Chemical Physics》

基　　金：湖南省自然科学基金

年　　份：2000

卷　　号：13

期　　号：4

起止页码：492-496

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、INSPEC、JST、RSC、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：报道多孔硅（ＰＳ）的表面钝化对其光致发光（ＰＬ）和电致发光（ＥＬ）的影响。ＰＬ和ＥＬ谱表明，经钝化处理的ＰＳ的ＰＬ和ＥＬ强度明显增强，且发光峰位较大蓝移；存放实验表明，经钝化处理的ＰＳ的ＰＬ和ＥＬ发光强度和发光峰位具有较好的稳定性；Ｉ～Ｖ曲线显示，经钝化处理的ＰＳ发光器件具有较低的启动电压。这些结果表明：用钝化处理的方法是提高 ＰＳ的 ＰＬ和 ＥＬ强度和稳定性及改善其器件性能的有效途径。

关 键 词：多孔硅 表面钝化 光致发光 电致发光

分 类 号：O482.31]