文献类型：期刊文章

作　　者：师珺草[1] 左然[1] 孟素慈[2,3]

机构地区：[1]江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013 [2]江苏大学化学化工学院,镇江212013 [3]南京大学化学化工学院介观化学教育部重点实验室理论与计算化学研究所,南京210093

出　　处：《中国科学：技术科学》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61176009)资助项目

年　　份：2013

卷　　号：43

期　　号：8

起止页码：878-884

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD2013_2014、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于量子化学的密度泛函理论,对MOCVD中以TMG和NH3为源气体生长GaN的加合反应路径进行研究.依据NH3过量和不过量两种情况,提出了加合反应的5条分解或聚合路径,并计算了各路径的分子构型和势能面.计算结果表明:在NH3不过量时,加合物TMG:NH3在生成氨基物DMGNH2后,继续分解的几条路径均势垒过高,而生成低聚物[DMGNH2]x(x=2,3)的低聚反应势垒为零.由于低聚物倾向于继续聚合,很容易导致纳米颗粒的形成.当NH3过量时,NH3与TMG:NH3可生成配位键加合物H3N:TMG:NH3或氢键加合物TMG:NH3NH3,形成后者的能量更低.通过对比各种加合反应路径,给出如下推测:在MOCVD的生长条件下,形成氢键加合物TMG:NH3NH3,然后重新可逆分解,可能是薄膜生长的主要路径;而氨基物聚合生成低聚物的路径,可能是纳米颗粒形成的主要路径.

关 键 词：MOCVD GAN 加合反应 量子化学计算 密度泛函理论

分 类 号：TN304.055]