文献类型：期刊文章

作　　者：葛水兵[1] 程珊华[1] 宁兆元[1]

机构地区：[1]苏州大学薄膜材料实验室,江苏苏州215006

出　　处：《材料科学与工程》

年　　份：2000

卷　　号：18

期　　号：3

起止页码：77-79

语　　种：中文

收录情况：CSCD、CSCD2011_2012、普通刊

摘　　要：利用脉冲激光法制备了 Zn O:Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了靶材中的化学配比 (掺杂比 )对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :掺杂比从0 .75%增至 1 .5%过程中 ,膜的载流子浓度、透光率 (在波长大于 50 0 nm的范围 )和光隙能相应增大。在氧分压强为 0 Pa(不充氧 )、掺杂比为 1 .5%左右时沉积的膜 ,其电阻率达到最小 ,其值为 7.1× 1 0 -4 Ω cm,且在可见光区其透光率超过了 90 %。

关 键 词：脉冲激光沉积 ZnO膜  掺杂比  铝 掺杂 透明导电膜

分 类 号：TB43] O484]