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期刊文章详细信息

多波长激光刻蚀多晶硅工艺参数优化    

Parameters Optimization of Process on Different Wavelength Laser Etching of Poly Silicon

  

文献类型:期刊文章

作  者:裴绍虎[1] 薛伟[2] 冯爱新[1,2,3] 孙铁囤[3] 韩振春[1,4] 吕豫文[1] 朱亮[1] 朱宝春[1]

机构地区:[1]江苏大学机械工程学院,江苏镇江212013 [2]温州大学机电工程学院,浙江温州325035 [3]常州亿晶光电科技有限公司,江苏常州213200 [4]江苏锐成机械有限公司,江苏无锡214206

出  处:《应用激光》

年  份:2013

卷  号:33

期  号:3

起止页码:318-321

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2011、CSCD、CSCD_E2013_2014、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:多晶硅的制造工艺日趋成熟,成本不断降低,在太阳能电池的制造中应用越来越广泛;激光加工技术效率高、消耗低,在太阳能电池制造领域起着举足轻重的作用。为了探究激光参数对多晶硅加工效果的影响,在正交试验方法的基础上,运用激光在多晶硅片表面进行单点多脉冲打孔的实验方法,通过光学显微镜和三维形貌仪等设备对实验结果进行观察分析,建立了工艺参数与激光钻孔实验结果的关系,并优化了激光冲击多晶硅片的参数,分析了孔周围的热影响区。由实验得到以下参数:激光波长为532 nm,能量120 mJ,光斑直径0.5 mm,作用时间45 s时,在该条件下可得到最佳的孔径。

关 键 词:多晶硅 激光 打孔  工艺参数

分 类 号:TN249]

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同被引文献:

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