文献类型：期刊文章

作　　者：岳晓宁[1] 龙雨谦[1] 黄韬[1] 蒋炜[1] 陈建钧[1] 梁斌[1]

机构地区：[1]四川大学化学工程学院,四川省多相流传质与化学反应工程重点实验室,四川成都610065

出　　处：《分子催化》

基　　金：国家自然科学基金面上项目(21176157)

年　　份：2013

卷　　号：27

期　　号：3

起止页码：279-286

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号：20133416646356)、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对四氯化硅催化氢化过程采用第一性原理机理对其进行模拟研究,结果表明:没有催化剂时,SiCl4与H2反应能垒为464.45 kJ/mol,反应能量为74.94 kJ/mol,与热力学计算结果 71.85 kJ/mol一致.负载在HZSM-5分子筛上的氯化钡可催化四氯化硅氢化反应,其最具催化活性表面为(111)面;H2在BaCl2(111)面上表现排斥性;SiCl4表现为吸附性,可在BaCl2(111)表面稳定吸附并生成.SiCl3自由基,过程吸附能为448.33 kJ/mol;在催化剂BaCl2存在条件下,SiCl4与H2反应为自由基反应,反应步骤能垒为400.23 kJ/mol;氢化过程能垒降为184.97kJ/mol;催化氢化反应过程所需能量为64.20 kJ/mol.催化氢化过程反应条件相对无催化剂过程更为温和.

关 键 词：四氯化硅 催化加氢 第一性原理 自由基 氯化钡

分 类 号：O643.32]