文献类型：期刊文章

作　　者：吕莉[1] 张敏[1] 杨立芹[1] 羊新胜[1] 赵勇[1]

机构地区：[1]西南交通大学超导与新能源研究开发中心,材料先进技术教育部重点实验室,成都610031

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(51002125);中央高校基本科研业务费专项资金(SWJTU12CX018;SWJTU11ZT16;SWJTU11ZT29;SWJ-TU10XS33)

年　　份：2013

卷　　号：27

期　　号：11

起止页码：7-12

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2011、CAS、CSCD、CSCD2013_2014、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：拓扑绝缘体是当前凝聚态物理和材料科学研究的热门课题,其独特的电子态结构使其在自旋电子器件和量子计算机等领域拥有巨大的应用潜力。阐述了拓扑绝缘体Bi2Se3单晶的制备方法﹑输运性质以及表面调控效应等方面的最近进展;总结了各种化学掺杂方法对Bi2Se3费米能级的影响,同时展望了今后Bi2Se3的研究发展方向。

关 键 词：拓扑绝缘体 晶体生长 Bi2Se3  

分 类 号：O4[物理学类]