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期刊文章详细信息

电荷耦合器件饱和效应对PIE成像质量的影响  ( EI收录)  

Influence of Charge Coupled Device Saturation on PIE Imaging

  

文献类型:期刊文章

作  者:王宝升[1] 高淑梅[1] 王继成[1] 朱健强[2] 刘诚[1]

机构地区:[1]江南大学理学院光信息科学与技术系,江苏无锡214122 [2]中国科学院上海光学精密机械研究所联合实验室,上海201800

出  处:《光学学报》

基  金:江苏省自然科学基金(BK2012548)资助课题

年  份:2013

卷  号:33

期  号:6

起止页码:65-70

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2011、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2013_2014、EI(收录号:20133516679487)、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:在研究电荷耦合器件(CCD)饱和效应对PIE成像质量影响的基础上,提出了一种改进的重建算法。该方法可以从发生部分饱和的数据重建出准确的再现像。和现有的方法相比,此方法可以在保证分辨率不受影响的条件下,大幅度缩短数据采集时间,因此可显著降低对实验装置和样品稳定性的要求,对PIE方法的推广应用有重要的实际意义。

关 键 词:成像系统 相干衍射成像  相位恢复 显微成像 PIE

分 类 号:TP212.1]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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